Silikon Karbida Kasar
Silikon Karbida 100 Grit Keterangan
Perangkat elektronik-semikonduktor berdaya tinggi-generasi ketiga yang diwakili oleh SiC adalah salah satu perangkat semikonduktor daya dengan pertumbuhan tercepat di bidang elektronika daya.
Silikon karbida sebagai perwakilan khas bahan semikonduktor generasi ketiga, tetapi juga merupakan teknologi produksi kristal paling matang dan tingkat manufaktur perangkat, salah satu bahan semikonduktor bandwidth lebar yang paling banyak digunakan, telah membentuk rantai industri bahan, perangkat, dan aplikasi global. Ini adalah bahan semikonduktor yang ideal untuk aplikasi-suhu tinggi,-frekuensi tinggi, tahan radiasi-dan-daya tinggi.
Spesifikasi Produk Silikon Karbida
Pemasok Produk Silikon Karbida-ZhenAn International
| ANALISIS KIMIA KHUSUS | |
| SiC | 99.05% |
| SiO2 | 0.20% |
| F, Si | 0.03% |
| Fe2O3 | 0.10% |
| F.C | 0.04% |
| SIFAT FISIK KHUSUS | |
| Kekerasan: | Mohs:9.5 |
| Titik lebur: | Menyublim pada 2600 derajat |
| Suhu servis maksimum: | 1900 derajat |
| Berat jenis: | 3,2g/cm³ |
| Kepadatan massal (LPD): | 1,2-1,6 gram/cm3 |
| Warna: | Hijau |
| Bentuk partikel: | heksagonal |
Produsen Silicon Carbide 100 Grit-ZhenAn Internasional

Pemasok Bubuk SiC-ZhenAn

Sifat mekanik:kekerasan tinggi (kekerasan Kjeldahl 3000kg/mm²), dapat memotong rubi; ketahanan aus yang tinggi, nomor dua setelah berlian.
Sifat termal:konduktivitas termal melebihi logam tembaga, 3 kali lipat dari Si dan 8 hingga 10 kali lipat dari GaAs, pembuangan panas yang baik, sangat penting untuk perangkat berdaya tinggi.
Sifat kimia:ketahanan terhadap korosi sangat kuat, pada suhu kamar dapat menahan hampir semua bahan korosif yang dikenal. Permukaan SiC mudah teroksidasi untuk menghasilkan lapisan tipis SiO2, dapat mencegah oksidasi lebih lanjut, pada suhu lebih tinggi dari 1700 derajat, lapisan film oksida ini meleleh dan reaksi oksidasi cepat. SiC dapat dilarutkan dalam bahan oksidator cair.
Sifat listrik:4H-SiC dan 6H-celah pita SiC sekitar 3 kali lipat dari Si, 2 kali lipat dari GaAs; kuat medan listrik tembusnya satu tingkat lebih tinggi daripada Si, dan laju penyimpangan elektron saturasinya 2,5 kali lipat dari Si. 4H-SiC memiliki celah pita yang lebih lebar daripada 6H-SiC.
36 Foto kunjungan pelanggan Grit Silicon Carbide

Pertanyaan Umum
Q: Apakah harga bisa dinegosiasikan?
A: Ya, jangan ragu untuk menghubungi kami kapan saja jika Anda memiliki pertanyaan. Dan bagi klien yang ingin memperbesar pasar, kami akan berusaha semaksimal mungkin untuk mendukung mereka.
T: Dapatkah Anda memberikan sampel gratis?
A: Ya, kami dapat memberikan sampel gratis kepada pelanggan agar mereka dapat memeriksa kualitas atau melakukan analisis kimia, tetapi tolong beri tahu kami persyaratan terperinci agar kami dapat menyiapkan sampel yang tepat.
Q: Kapan Anda bisa mengirimkan barangnya?
A: Biasanya, kami dapat mengirimkan barang dalam waktu 15-20 hari setelah kami menerima pembayaran di muka atau L/C asli.
T: Dapatkah Anda memberikan laporan pengujian yang dikeluarkan oleh SGS atau inspeksi pihak ketiga lainnya?
J: Ya, kami bisa, jika pelanggan meminta-laporan pengujian pihak ketiga.
Kami sangat berharap untuk menjadi mitra Anda, kami menyambut pelanggan baru dan lama untuk mengunjungi panduan ini serta berbagai bentuk pembicaraan kerjasama perdagangan!
Tag populer: silikon karbida kasar, produsen, pemasok, pabrik silikon karbida kasar Cina, 180 220 grit silikon karbida bubuk, 60 Grit Black Silicon Carbide, Green Silicon Carbide 1200 Grit, Silikon karbida 100 grit, Silikon karbida 1200 grit, bubuk silikon karbida 600 grit
Sepasang
Bubuk Silikon KarbidaBerikutnya
Pasir Silikon KarbidaAnda Mungkin Juga Menyukai
Kirim permintaan









